5A 500V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET B5N50 TO-251B

5A 500V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር 

● ESD ችሎታን አሻሽሏል።

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤1.6Ω) 

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 12.6nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡4 ፒኤፍ) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና

3 መተግበሪያዎች

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል። 

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
500 ቪ	1.4Ω	5A