未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov »» Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 5A 500V N-CANNEL EMANTEMENT MODE Power MOSFET B5N50 TO-251B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

5A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B5N50 TO-251B

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje
výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

5A 500V N-CANNEL REŽIMEM REŽIM MOSFET


1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS.


2 funkce

● Rychlé přepínání 

● ESD vylepšená schopnost

● Nízký odpor (RDSON ≤ 1,6Ω) 

● Nízká brána (Typ: 12,6NC) 

● Kapacity s nízkým přenosem pro zpětný přenos (typ: 4pf) 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikace

● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Přepínací obvod elektrického balastu a adaptéru.

VDSS  Rds (on) （typ) Id 
500V 1.4Ω 5a



Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by vodong.com