未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

400V-1500V N MOS

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d To-3pn 500V 18a 英文版 18N50D 技术规格书 .pdf
10.6a 700V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6a Zařízení DJD420N70T Specifikace Rev.1.0.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6a 英文版 F6N90 技术规格书 .pdf
3A 900V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3a Specifikace zařízení DH3N90.pdf
31A 600V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJC099N60F/DJF099N60F
23A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 23N50D TO-3P 23n50d To-3pn 500V 23a 英文版 23N50D 技术规格书 .pdf
16A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650V 16a Donghai dhsj21n65z Datasheet V1.0 (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13a 英文版 E13n50 技术规格书 .pdf
4a 600V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4a 英文版 B4N60 技术规格书 .pdf
2A 600V N-CHANNE REŽIME VYDÁVÁNÍ MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2a
2A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600V 2a 英文版 D2n60 技术规格书 .pdf
10A 800V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10a 英文版 F10N80 技术规格书 .pdf
4a 700V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4a 英文版 F4N70 技术规格书 (1) .pdf
14a 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650V 14a 英文版 F14N65 技术规格书 AY3.pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500V 20a 英文版 F20N50 技术规格书 Rev1.1.pdf
10A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10a 英文版 F10N50 技术规格书 (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4a 英文版 D4n70 技术规格书 .pdf
18A 650V Izolovaná brána Bipolární tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18a Specifikace zařízení DHG20T65D (TO-220F) .pdf
70A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70a Zařízení DJC070N65M2 Specifikace Rev.1.0.pdf
60a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60a Specifikace zařízení DHD015N06 (低开启电压 50N06） .pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com