未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 12N60/F12N60/E12N60

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidat do košíku

Výkonový MOSFET 12A 600V N-channel Enhancement Mode

1 Popis

Tyto křemíkové N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samozarovnanou planární technologií, která snižuje

ztráta vedení, zlepšení spínacího výkonu a zvýšení lavinové energie. Což odpovídá standardu RoHS.

2 Vlastnosti

● Rychlé přepínání

● Nízký ON odpor (Rdson≤0,75Ω)

● Nízké nabití brány (Typ: 40 nC)

● Nízké kapacity zpětného přenosu (Typ: 10pF)

● 100% test lavinové energie jednoho pulzu

● Test 100% ΔVDS

3 Aplikace

● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.

● Obvod vypínače adaptéru a nabíječky.


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
600V 0,57Ω 12A


Předchozí: 
Další: 
12N60/F12N60/E12N60
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com