未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 12N60/F12N60/E12N60

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:
Opýtajte sa Pridať do košíka

Výkonový MOSFET 12A 600V N-channel Mode Enhancement Mode

1 Popis

Tieto silikónové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje

straty vedenia, zlepšujú spínací výkon a zvyšujú lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤0,75Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 40 nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (typ: 10 pF)

● 100% test jednopulzovej lavínovej energie

● Test 100 % ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.


VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
600 V 0,57Ω 12A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
12N60/F12N60/E12N60
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com