12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N din siliciu sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată care reduce

pierderea conducției, îmbunătățirea performanței de comutare și creșterea energiei de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.

2 Caracteristici

● Comutare rapidă

● Rezistență scăzută la ON (Rdson≤0,75Ω)

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 40 nC)

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 10pF)

● Test de energie avalanșă cu un singur impuls 100%.

● Test ΔVDS 100%.

3 Aplicații

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.

● Circuitul comutatorului de alimentare al adaptorului și al încărcătorului.

VDSS	RDS(activat)(TYP)	ID
600V	0,57Ω	12A