12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis

Ti silicijevi N-kanalni izboljšani vdmosfeti so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša

izgubo prevodnosti, izboljša preklopno zmogljivost in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS.

2 Lastnosti

● Hitro preklapljanje

● Nizek vklopni upor (Rdson≤0,75Ω)

● Nizek naboj vrat (tip: 40 nC)

● Nizka povratna prenosna kapacitivnost (tip: 10pF)

● 100-odstotni enojni impulzni plazovni energetski test

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikacije

● Uporablja se v različnih preklopnih tokokrogih za miniaturizacijo sistema in večjo učinkovitost.

● Tokokrog stikala za napajanje adapterja in polnilnika.

VDSS	RDS (vklopljen) (TYP)	ID
600V	0,57Ω	12A