12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canalis vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta obtinetur, quae thecam minuunt

conductio damnum, emendare mutandi perficiendi et augendae NIVIS energiae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast Switching

Minimum DE Resistentia (Rdson≤0.75Ω)

Porta Low præcipe (Typ: 40nC)

Low Reverse Transfer Capacitances (Typ: 10pF)

C% Singulus Pulsus NIVIS Energy Test

C% VDS Test

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
600V	0.57Ω	12A