12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu silikon N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, kendi kendine hizalanan düzlemsel teknolojiyle elde edilir ve bu teknoloji,

İletim kaybı, anahtarlama performansını artırır ve çığ enerjisini artırır. RoHS standardına uygundur.

2 Özellikler

● Hızlı Geçiş

● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤0,75Ω)

● Düşük Geçit Yükü (Tip: 40nC)

● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 10pF)

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi

● %100 ΔVDS Testi

3 Uygulama

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
600V	0,57Ω	12A