12N60/F12N60/E12N60

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 12 A y 600 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N de silicio se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la

Pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido

● Baja resistencia de encendido (Rdson≤0.75Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 40 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 10 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Se utiliza en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturizar el sistema y lograr una mayor eficiencia.

● Circuito del interruptor de encendido del adaptador y cargador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
600V	0,57Ω	12A