12N60/F12N60/E12N60

12A 600V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse silisium N-kanal forbedrede vdmosfets, er oppnådd av den selvjusterte plane teknologien som reduserer

ledningstap, forbedre bytteytelsen og forbedre skredenergien. Som samsvarer med RoHS-standarden.

2 funksjoner

● Rask veksling

● Lav PÅ-motstand (Rdson≤0,75Ω)

● Lav portlading (Type: 40nC)

● Lave reverserte overføringskapasitanser (Type: 10pF)

● 100 % Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100 % ΔVDS-test

3 applikasjoner

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for adapter og lader.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
600V	0,57Ω	12A