Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

400V-1500V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
10A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
7,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7.6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
14A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
3A 900V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Špecifikácia zariadenia DH3N90.pdf
5A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
4A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 TO-252B 800 V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
23A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
20A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
10A 800V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650 V 5A 英文版D5N65-XAD技术规格书.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
10,6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700 V 10,6A Špecifikácia zariadenia DJD420N70T Rev.1.0.pdf
12A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
2A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600 V 2A
9A 900V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F20N50 F20N50 TO-220F 500 V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
18A 650V s izolovanou bránou bipolárny tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Špecifikácia zariadenia DHG20T65D(TO-220F).pdf
70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Špecifikácia zariadenia DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty