brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » MOSFET F5N80 TO-220F 5A 800V N-channel Enhancement Mode Power

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

5A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F5N80 TO-220F

5A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

5A 800V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. TO-220F poskytuje izolačné napätie dimenzované na 2000 V RMS zo všetkých troch svoriek k externému chladiču. Séria TO-220F vyhovuje normám UL (ref. súboru: E252906). 


2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤2,8Ω) 

● Nízke nabitie brány (Typ: 25 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 7,5 pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.

VDSS  RDS (zapnuté) (TYP) ID 
800 V 2,2Ω 5A



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty