5A 800V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET F5N80 TO-220F

5A 800V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series signa UL parere (File ref:E252906). 

2 Features 

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤2.8Ω) 

Minimum crimen (Typ: 25nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 7.5pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications 

● In variis vi mutandi circuitio ad systema miniaturizationis et efficientiae superioris adhibita. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
800V	2.2Ω	5A