қол жетімділігі: | |
---|---|
саны: | |
F5N80
Wxdh
-220f дейін
800 В
5а
5A 800V N каналды басқару режимі Power MOSFET
1 сипаттама
N-Channel Кеңейтілген VDMossfets, оны өткізген «Өткізілетін шығындарды азайтып, коммутацияны жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өзіндік турникеттік технологиялар арқылы алынады. ROHS стандартымен қандай үйлеседі. TO-220F-ге дейін барлық үш терминалдан сыртқы жылулыққа дейінгі барлық үш терминалдан бастап 2000 В-да индикаторлық кернеу береді. TO-220F сериялары UL стандарттарына сәйкес келеді (файл сілтемесі: e252906).
2 мүмкіндіктер
● Жылдам коммутатор
● ESD жетілдірілген мүмкіндігі
● Қарсылық аз (RDSON≤2.8ω)
● Төменгі қақпа заряды (TYP: 25NC)
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 7.5PF)
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тест
3 өтінім
● Жүйелік миниатюрация және жоғары тиімділік үшін әр түрлі қуатты коммутациялық тізбекте қолданылады.
● Электрон балластары мен адаптердің қуат қосқышы.
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
800 В | 2.2ω | 5а |
5A 800V N каналды басқару режимі Power MOSFET
1 сипаттама
N-Channel Кеңейтілген VDMossfets, оны өткізген «Өткізілетін шығындарды азайтып, коммутацияны жақсартатын және көшкін энергиясын жақсартатын өзіндік турникеттік технологиялар арқылы алынады. ROHS стандартымен қандай үйлеседі. TO-220F-ге дейін барлық үш терминалдан сыртқы жылулыққа дейінгі барлық үш терминалдан бастап 2000 В-да индикаторлық кернеу береді. TO-220F сериялары UL стандарттарына сәйкес келеді (файл сілтемесі: e252906).
2 мүмкіндіктер
● Жылдам коммутатор
● ESD жетілдірілген мүмкіндігі
● Қарсылық аз (RDSON≤2.8ω)
● Төменгі қақпа заряды (TYP: 25NC)
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 7.5PF)
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тест
3 өтінім
● Жүйелік миниатюрация және жоғары тиімділік үшін әр түрлі қуатты коммутациялық тізбекте қолданылады.
● Электрон балластары мен адаптердің қуат қосқышы.
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
800 В | 2.2ω | 5а |