pintu pagar
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 5A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F5N80 TO-220F

memuatkan

Kongsi kepada:
butang perkongsian facebook
butang perkongsian twitter
butang perkongsian talian
butang perkongsian wechat
butang perkongsian linkedin
butang perkongsian pinterest
butang perkongsian whatsapp
kongsi butang perkongsian ini

5A 800V N-channel Enhancing Mode Kuasa MOSFET F5N80 TO-220F

5A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Availability:
Kuantiti:

5A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (Ruj fail:E252906). 


2 Ciri-ciri 

● Penukaran pantas 

● ESD meningkatkan keupayaan 

● Rintangan rendah (Rdson≤2.8Ω) 

● Caj pintu rendah (Jenis: 25nC) 

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 7.5pF) 

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 


3 Aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS  RDS(on)(TYP) ID 
800V 2.2Ω 5A



Sebelumnya: 
Seterusnya: 
  • Daftar untuk surat berita kami
  • bersiap sedia untuk masa hadapan
    mendaftar untuk surat berita kami untuk mendapatkan kemas kini terus ke peti masuk anda