7A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Funkcia

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (Rdson≤1,4Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 24 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 5,5 pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra

VDSS	RDS (zapnuté) (TYP)	ID
650 V	1,2 Ω	7A