7A 650V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤1.4Ω)

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 24nC) 

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 5.5pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

● วงจรสวิตช์ไฟของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
650V	1.2 โอห์ม	7เอ