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7A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD7N65 TO-252B

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチング
パフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。
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7A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1説明

これらのNチャネル強化VDMOSFETは、伝導損失を減らし、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化する自己整合した平面技術によって得られます。 ROHS標準と一致しています。 


2機能

●高速スイッチング 

●ESDは機能を改善しました

●抵抗性が低い（RDSON≤1.4Ω）

●低ゲートチャージ（型：24NC） 

●低い逆転送容量（typ：5.5pf） 

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100％ΔVDSテスト 


3つのアプリケーション 

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●電子バラストとアダプターの電源スイッチ回路


VDSS  rds（on）（タイプ） id 
650V 1.2Ω 7a



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