7A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Feature

Fast commutatione 

ESD melius facultatem

● Minimum resistente (Rdson≤1.4Ω)

Minimum crimen (Typ: 24nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 5.5pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

Power switch circuit electronico saburra et nibh

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	1.2 Ω	7A