未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 7A 650V N-kanalforbedringsmodus MOSFET DHD7N65 TO-252B

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknappen
Sharethis delingsknapp

7A 650V N-kanals forbedringsmodus MOSFET DHD7N65 TO-252B

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen
og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgjengelighet:
Mengde:
Spørre Legg til kurv

7A 650V N-kanals forbedringsmodus MOSFET


1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 -funksjonen

● Rask bytte 

● ESD forbedret muligheten

● Lav på motstand (Rdson≤1.4Ω)

● Lav portladning (TYP: 24NC) 

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 5,5PF) 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS -test 


3 søknader 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet. 

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter


VDSS  Rds (på) （typ) Id 
650V 1.2 Ω 7a



Tidligere: 
NESTE: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen
    Send inn
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com