MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 7 A 650 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristica

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 1,4 Ω)

● Carica gate bassa (tip.: 24nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 5,5 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
650 V	1,2 Ω	7A