kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 7A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET DHD7N65 TO-252B

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

7A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód MOSFET DHD7N65 TO-252B

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási
teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
Elérhetőség:
Mennyiség:

7A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET


1 Leírás

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 


2 Funkció

● Gyors váltás 

● Továbbfejlesztett ESD képesség

● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,4Ω)

● Alacsony kaputöltés (Típus: 24nC) 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 5,5 pF) 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt 


3 Alkalmazások 

● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében. 

● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre


VDSS  RDS (be) (TYP) ID 
650V 1,2 Ω 7A



Előző: 
Következő: 
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket