7A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET

1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل، وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 ميزة

● التبديل السريع 

● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة

● مقاومة منخفضة (Rdson≥1.4Ω)

● شحن البوابة منخفض (النوع: 24nC) 

● سعات نقل عكسي منخفضة (النوع: 5.5pF) 

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100%

● اخت653a55145c58a5=اتصل بنا 

3 تطبيقات 

● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة. 

● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول

VDSS	RDS(على)(TYP)	بطاقة تعريف
650 فولت	1.2 أوم	7 أ