در دسترس بودن: | |
---|---|
مقدار: | |
DHD7N65
WXDH
به 252b
650 ولت
7a
7A 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤1.4Ω)
legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 24nc)
alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 5.5pf)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
650 ولت | 1.2 Ω | 7a |
7A 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MOSFET
1 توضیحات
این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● ESD قابلیت بهبود یافته
● کم مقاومت (Rdson≤1.4Ω)
legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 24nc)
alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 5.5pf)
● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک
● 100 ٪ تست ΔVDS
3 برنامه
● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی
vdss | rds (روشن) (تایپ) | شناسه |
650 ولت | 1.2 Ω | 7a |