دروازه
شرکت نیمه هادی جیانگ سو دونگهای با مسئولیت محدود
شما اینجا هستید: صفحه اصلی » محصولات » ماسفت » 400V-1500V N MOS » 7A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD7N65 TO-252B

در حال بارگذاری

اشتراک گذاری در:
دکمه اشتراک گذاری فیL از سازنده چین - WXDH
دکمه اشتراک گذاری توییتر
دکمه اشتراک گذاری خط
دکمه اشتراک گذاری ویچت
دکمه اشتراک گذاری لینکدین
دکمه اشتراک گذاری پینترست
دکمه اشتراک گذاری واتساپ
این دکمه اشتراک گذاری را به اشتراک بگذارید

7A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD7N65 TO-252B

این vdmosfet های N-channel افزایش یافته، توسط فناوری مسطح خود تراز شده به دست می آیند که تلفات هدایت را کاهش می دهد،
عملکرد سوئیچینگ را بهبود می بخشد و انرژی بهمن را افزایش می دهد. که مطابق با استاندارد RoHS است.
در دسترس بودن:
تعداد:

ماسفت قدرت 7A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power


1 توضیحات

این vdmosfet های پیشرفته با کانال N، توسط فناوری مسطح خود تراز شده به دست می آیند که تلفات هدایت را کاهش می دهد، عملکرد سوئیچینگ را بهبود می بخشد و انرژی بهمن را افزایش می دهد. که مطابق با استاندارد RoHS است. 


2 ویژگی

● تعویض سریع 

● قابلیت ESD بهبود یافته است

● مقاومت کم (Rdson≤1.4Ω)

● شارژ پایین دروازه (نوع: 24nC) 

● ظرفیت انتقال معکوس کم (نوع: 5.5pF) 

● تست انرژی بهمن 100% تک پالس

● تست 100% ΔVDS 


3 برنامه های کاربردی 

● در مدارهای مختلف سوئیچینگ قدرت برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

● مدار سوئیچ برق بالاست الکترون و آداپتور


VDSS  RDS (روشن) (TYP) شناسه 
650 ولت 1.2 Ω 7A



قبلی: 
بعدی: 
  • برای خبرنامه ما ثبت نام کنید
  • برای آینده آماده شوید،
    در خبرنامه ما ثبت نام کنید تا به‌روزرسانی‌ها را مستقیماً به صندوق ورودی خود دریافت کنید