Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DHD7N65
WXDH
До 252b
650 В.
7A
7A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функция
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤1,4 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 24NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 5,5PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
650 В. | 1,2 Ом | 7A |
7A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функция
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤1,4 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 24NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 5,5PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
650 В. | 1,2 Ом | 7A |