ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 400V-1500V N MOS » 7A 650V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD7N65 TO-252B

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

7A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet DHD7N65 до 252B

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает
производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:

7A 650V N-канальный режим режима Power MOSFET


1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функция

● Быстрое переключение 

● Улучшенная ESD улучшенная способность

● Низкое сопротивление (rdson≤1,4 Ом)

● Заряд с низким затвором (тип: 24NC) 

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 5,5PF) 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера


VDSS  Rds (on) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР 
650 В. 1,2 Ом 7A



Предыдущий: 
Следующий: 
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик