7A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självinriktade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. 

2 Funktion

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet

● Lågt motstånd (Rdson≤1,4Ω)

● Låg grindladdning (typ: 24nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 5,5pF) 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
650V	1,2 Ω	7A