未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
175A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
205A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Enhet DHS025N88 Specifikation.pdf
5A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Enhet D5N50&B5N50 Specifikation.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datablad_V1.0.pdf
18A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
180A 85V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Enhet+DSD040N08N3A+Specifikation+Rev.1.0.pdf
0,8A 600V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8A
4A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Enhet DHS020N04D Specifikation.pdf
105A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datablad+V2.0 .pdf
25A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Enhet DH025N03 Specifikation.pdf
140A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Enhet DHP035N04 Specifikation.pdf
40A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datablad_V3.0.pdf
P-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
60A 68V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datablad_V1.0 (1).pdf
120A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Enhet DH025N03P Specifikation(1)(1).pdf
14A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
155A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Enhet DH035N04 Specifikation.pdf
18A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com