未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150V 115A
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
54A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Enhet DH060N03R Specifikation.pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
80A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKET DH045N04P DFN5X6 40V 80A Enhet DH045N04P Specifikation(1).pdf
DSU010N04LA TOLL Paket DSU010N04LA
33A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Enhet DH240N06L Specifikation Rev.2.0.pdf
120A 70V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datablad+V3.0 (1).pdf
4,8A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
8A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
18A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
65A 100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
96A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Enhet DH030N03P Specifikation.pdf
130A 85V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datablad_V1.0.pdf
80A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Enhet DHS065N10P Specifikation(1).pdf
120A100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET D120N10 TO-220C 100V 120A Enhet D120N10ZR Specifikation.pdf
P-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Enhet DH100P30AD Specification.pdf
10A 800V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com