未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
170A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85 V 170A DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A DSP037N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
180A 135V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG045N14N TO-220 DSG045N14N TO-220C 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
Pakiet OPŁAT DSU024N10N3A DSU024N10N3A MYTO 100 V 272A DSU024N10N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
Pakiet TOLL 40V/0,5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA DSU007N04NA MYTO 40 V 360A DSU007N04NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
130A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Specyfikacja urządzenia DH025N04.pdf
170A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A DSG030N10N3 i DSE028N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
140A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
90A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specyfikacja urządzenia DHD80N08.pdf
MOSFET mocy 140 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału P DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
180A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_Arkusz danych_V2.0.pdf
9A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A DHS008N04P_Arkusz danych_V1.0.pdf
112A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
40A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Specyfikacja urządzenia DH400P06.pdf
12A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specyfikacja urządzenia DH1K1N10.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD i DH400P06LB_Arkusz danych_V2.0.pdf
210A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Specyfikacja urządzenia N6005B40.pdf
7A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com