未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
7,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
150 V/7,5 mΩ/115 A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150 V 115A
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
54A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Specyfikacja urządzenia DH060N03R.pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
33A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Specyfikacja urządzenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKIET DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH045N04P(1).pdf
Pakiet OPŁAT DSU010N04LA DSU010N04LA
120A 70V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+karta katalogowa+V3.0 (1).pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
8A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65 技术规格书.pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
65A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
130A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specyfikacja urządzenia DH030N03P.pdf
80A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N10P(1).pdf
120A100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D120N10 TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia D120N10ZR.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specyfikacja urządzenia DH100P30AD.pdf
10A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com