未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
7,6 A 650 V N-kanaliga Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7,6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A KUNI -220C 150V 115A
54A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Seadme DH060N03R spetsifikatsioon.pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
33A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Seadme DH240N06L spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanali laiendusrežiim Toide MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKEND DH045N04P DFN5X6 40V 80A Seadme DH045N04P spetsifikatsioon(1).pdf
DSU010N04LA TOLL pakett DSU010N04LA
120A 70V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Andmeleht+V3.0 (1).pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
4,8 A 650 V N-kanaliga Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
8A 650 V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
18A 500 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
65A 100V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
130A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Seadme DH030N03P spetsifikatsioon.pdf
80A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Seadme DHS065N10P spetsifikatsioon(1).pdf
120A100V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET D120N10 KUNI -220C 100V 120A Seadme D120N10ZR spetsifikatsioon.pdf
P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Seadme DH100P30AD spetsifikatsioon.pdf
10A 800V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com