未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
100A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
47A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DHS180N10L.pdf
170A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Špecifikácia zariadenia DH100P25.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
120A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Zariadenie+DH065N06+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Špecifikácia zariadenia DJC070N60F.pdf
12A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
4,8A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Zariadenie DH045N04 Špecifikácia.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Mýtny balík DSU035N14N3 TOLL 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Zariadenie DH025N03 Špecifikácia.pdf
140A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Špecifikácia zariadenia DHP035N04.pdf
0,8A 600V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
40A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
120A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Špecifikácia zariadenia DH025N03P(1)(1).pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com