未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET DO-220C DSG092N15N3A TO-220C 150 V 115A
54A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Zariadenie DH060N03R Špecifikácia.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04P BALENIE DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Špecifikácia zariadenia DH045N04P(1).pdf
Balík DSU010N04LA TOLL DSU010N04LA
33A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Špecifikácia zariadenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
120A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
65A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
130A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
96A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Zariadenie DH030N03P Špecifikácia.pdf
120A100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D120N10 TO-220C 100 V 120A Špecifikácia zariadenia D120N10ZR.pdf
80A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N10P(1).pdf
8A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65技术规格书.pdf
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Špecifikácia zariadenia DH100P30AD.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10A 800V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com