brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 80A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH045N04P DFN5X6

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

80A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 Balíček

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate. Čo je v súlade so štandardom ROHS.
Dostupnosť:
množstvo:

80A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis 


Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie priekopy, poskytli vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie

● Aplikácie prepínania napájania 

● Systém správy invertorov 

● Elektrické náradie 

● Automobilová elektronika


VDSS RDS (on) (typ) Id
40V 5,7 mΩ 80A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty