未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
33A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Špecifikácia zariadenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
240A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
54A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Zariadenie DH060N03R Špecifikácia.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U TOLL 100 V 180A Zariadenie+DHS025N10U+Špecifikácia+V2.0.pdf
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04P BALENIE DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Špecifikácia zariadenia DH045N04P(1).pdf
Balík DSU010N04LA TOLL DSU010N04LA
120A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
50A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Špecifikácia zariadenia F50N20(1).pdf
80A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Špecifikácia zariadenia DHS065N10P(1).pdf
96A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Špecifikácia zariadenia DH030N03P.pdf
130A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
60A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Špecifikácia zariadenia DH0159B76(1).pdf
300A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSU021N10NA MOTÝ BALÍK DSU021N10NA TOLL 100 V 300A Zariadenie+DSU021N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
80A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Zariadenie DH80N08 B22 Špecifikácia.pdf
65A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
120A100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D120N10 TO-220C 100 V 120A Špecifikácia zariadenia D120N10ZR.pdf
80A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Zariadenie DH072N07 Špecifikácia.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com