未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
180A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 -220C 80V 180A Laite DH029N08 Specification.pdf
145A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Laite DH028N03 Specification.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Maksullinen paketti DSU035N14N3 TOLL 135V 225A DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
250A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 -220C 40V 250A Laite DH019N04 Specification.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 -220C 60V 238A Laite DH026N06 Specification.pdf
90A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Laite DH045N04 Specification.pdf
N-kanavainen tehostustilan MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
120A 60V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 -220C 60V 120A Laite+DH065N06+Specification+Rev.2.0.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA -220C 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
70A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanavainen lisätilavirta MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Laite+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specification+Rev.1.0.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
100V/8mΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 -220C 98V 120A Laite DHS045N98 Specification-Rev.1.0.pdf
81A 80V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 -220C 80V 81A Laite DH060N08 Specification.pdf
100A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A -220C 68V 100A Laitteen DH3205A tekniset tiedot.pdf
180A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com