portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
116A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH070N07 -220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
96A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Laite DSP051N10N Specification Rev.1.0.pdf
80A 60V N-kanavan parannustila Virta MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA -220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 90V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R -220C 90V 120A Laite DH90N055R Specification.pdf
112A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Laite DHS043N85P Specification-Rev.1.0.pdf
108A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Laite DTE025N04NA&DTG025N04NA Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Laitteen DHP150N03 Specification(1).pdf
120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R -220C 98V 120A Laitteen DH90N045RSM2 Specification.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
 N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA -220C 150V 150A Laitteen DSG059N15NA Specification.pdf
120A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 -220C 85V 125A Laite+DSG048N08N3+Specification+Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
18A 200V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Laite D18N20 Specification Rev.1.0.pdf
9A 200 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A Device 630 Specification.pdf
 N-kanavan parannustilan teho MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 -220C 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Laite 110N04 Specification.pdf
65A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Laitteen DH033N03R Specification.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi