未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
47A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Laitteen DH135N10P Specification.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf
40A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Laite DH025N03P Specification(1)(1).pdf
60A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Laite DH081N03 Specification.pdf
50A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Laite DH150N12 Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 -220C 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Laite 50N06B34 Specification.pdf
105A 68V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
220A 20V N-kanavan lisätila Virta MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Laitteen DH009N02P Specification.pdf
35 A 120 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf
320A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH009N02U
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
80A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Laite DH065N04 Specification.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 -220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com