未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Specifikace zařízení DH135N10P.pdf
310A 20V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specifikace zařízení DH009N02.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Specifikace zařízení DH025N03.pdf
40A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Specifikace zařízení DH025N03P(1)(1).pdf
50A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Specifikace zařízení DH150N12.pdf
60A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specifikace zařízení DH081N03.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Specifikace zařízení DHS020N04D.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Specifikace zařízení 50N06B34.pdf
105A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zařízení+DSD270N12N3+Specifikace+Rev.1.0.pdf
220A 20V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Specifikace zařízení DH009N02P.pdf
Výkonový MOSFET 320A 20V N-channel Mode Enhancement DH009N02U
205A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specifikace zařízení DHS025N88.pdf
320A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
80A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Specifikace zařízení DH065N04.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zařízení+DSD040N08N3A+Specifikace+Rev.1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com