brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V
Dostupnost:
Množství:

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V


1 Popis

Tento výkonový MOSFET v režimu N-kanálového vylepšení využívá pokročilou technologii Split Gate Trench, která poskytuje vynikající Rdson a zároveň nízké nabíjení brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 

● Kvalifikace AEC-Q101 


3 Aplikace 

● Řízení motoru a pohonu 

● Správa baterie 

● UPS (nepřerušitelné zdroje napájení)


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
150V 5mΩ 150A



Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky