Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C

Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 150A 150V

1 Popis

Tento režim vylepšení N-kanálu Power MOSFET využívá pokročilé technologii Split Gate Trench, která poskytuje zároveň vynikající náboj RDSON a nízké brány. Který v souladu se standardem ROHS. 

2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 

● AEC-Q101 Kvalifikovaný 

3 aplikace 

● Řízení a pohon motoru 

● Správa baterií 

● UPS (nepřetržité napájecí zdroje)