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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Mode d'amélioration du canal N MOSFET de puissance 150A 150V DSG059N15NA TO-220C

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 150 A 150 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 150A 150V


1 Descriptif

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit en même temps un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

● Qualifié AEC-Q101 


3 candidatures 

● Contrôle et entraînement du moteur 

● Gestion de la batterie 

● UPS (alimentations sans interruption)


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
150V 5 mΩ 150A



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