未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
25A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 KUNI -220C 30V 150A Seadme DH025N03 spetsifikatsioon.pdf
47A 100 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Seadme DH135N10P spetsifikatsioon.pdf
310A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 KUNI -220C 20V 310A Seadme DH009N02 spetsifikatsioon.pdf
40A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Seadme DH025N03P spetsifikatsioon(1)(1).pdf
60A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Seadme DH081N03 spetsifikatsioon.pdf
50A 120V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Seadme DH150N12 spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 KUNI -220C 30V 320A Seadme DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Seadme DHS020N04D spetsifikatsioon.pdf
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Seadme 50N06B34 spetsifikatsioon.pdf
105A 68V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
35A 120V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Seade+DSD270N12N3+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
220A 20V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Seadme DH009N02P spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Seadme DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
320A 20V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH009N02U
205A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Seadme DHS025N88 spetsifikatsioon.pdf
80A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Seadme DH065N04 spetsifikatsioon.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
180A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Seade+DSD040N08N3A+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
175A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 KUNI -220C 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com