未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
100A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Seadme DH033N03 spetsifikatsioon(1).pdf
96A 100V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Seadme DSP051N10N spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
80A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA KUNI -220C 200V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 90V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R KUNI -220C 90V 120A Seadme DH90N055R spetsifikatsioon.pdf
112A 85V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Seadme DHS043N85P spetsifikatsioon-Rev.1.0.pdf
108A 85V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Seadme DTE025N04NA&DTG025N04NA spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Seadme DHP150N03 spetsifikatsioon(1).pdf
120A 98V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R KUNI -220C 98V 120A Seadme DH90N045RSM2 spetsifikatsioon.pdf
100A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA KUNI -220C 150V 150A Seadme DSG059N15NA spetsifikatsioon.pdf
120A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 KUNI -220C 85V 125A Seade+DSG048N08N3+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
18A 200V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Seadme D18N20 spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
9A 200 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A Seadme 630 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 KUNI -220C 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Seadme 110N04 spetsifikatsioon.pdf
90A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Seadme DH90N03 B17 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com