未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

12V-300V N MOS

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
60A 68V N-kanali parendamise režiim MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Seade DH60N06 spetsifikatsioon+.pdf
210A 60 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Seade n6005b40 spetsifikatsioon.pdf
240A 85V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHS020NN8U Toll Pakett DHS020N88U Teemaksu 85 V 285A DHS020N88U_DATASHEET_V2.0.pdf
N-kanali suurendamise režiimi võimsus MOSFET 180A 100V DHS025N10U Toll DHS025N10U Teemaksu 100 V 180A Seade+DHS025N10U+SPEPICATION+V2.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Seade DH060N07D spetsifikatsioon.pdf
90A 80 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Seade DHD80N08 spetsifikatsioon.pdf
96a 30v N-kanali tugevdamise režiim MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P Dfn5x6-8l 30 V 96a Seade DH030N03P spetsifikatsioon.pdf
54A 30V N-kanali parendamise režiim MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R Dfn3x3 30 V 54a Seade DH060N03R spetsifikatsioon.pdf
60A 100 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59a Seade DH0159B76 spetsifikatsioon (1) .pdf
NPN epitaksiaalne räni transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
300A 40V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DHS010N04U teemaksu pakett DHS010N04U Teemaksu 40 V 300A DHS010N04U_DATASHEET_V1.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.pdf
200A 30 V N-kanali parendamise režiim MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Seade DH020N03 (B39) spetsifikatsioon.pdf
19A 80 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19a Seade DH300N08 spetsifikatsioon.pdf
130A 100 V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
120A 80V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3 & DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.pdf
N-kanali suurendamise režiimi võimsus MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200 V 18a Seade 640 spetsifikatsioon.pdf
130A 40V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Seade DH025N04 spetsifikatsioon.pdf
105A 40V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P Dfn5*6-8 40 V 130A Seade DH025N04 spetsifikatsioon.pdf
300A 100 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DSU021N10na Toll Pakett DSU021N10na Teemaksu 100 V 300A Seade+DSU021N10NA+SPETIFICATION+REV.1.0.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com