brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
47A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DH135N10P.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Zariadenie DH025N03 Špecifikácia.pdf
310A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Zariadenie DH009N02 Špecifikácia.pdf
40A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Špecifikácia zariadenia DH025N03P(1)(1).pdf
60A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Zariadenie DH081N03 Špecifikácia.pdf
50A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Špecifikácia zariadenia DH150N12.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Zariadenie 50N06B34 Špecifikácia.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
220A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Zariadenie DH009N02P Špecifikácia.pdf
35A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Zariadenie+DSD270N12N3+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
205A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Špecifikácia zariadenia DHS025N88.pdf
320A 20V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH009N02U
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Zariadenie DH065N04 Špecifikácia.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
180A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zariadenie+DSD040N08N3A+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty