brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 112a 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

112A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DHS043N85P DFN5X6

112A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

112A 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto n-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFETS používali pokročilý dizajn technológie Trench Trench Technology, poskytovali vynikajúci poplatok RDSON a nízky brán. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízka brána 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS


3 aplikácie

● Synchrónna rektifikácia v SMP

● Tvrdé prepínanie a vysokorýchlostný obvod 

● Elektrické náradie 

● UPS 

● Ovládanie motora


VDSS RDS (on) (typ) Id
85V 3,8 mΩ 112a


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty