112A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS043N85P DFN5X6

112A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

У цих потужних МОП-транзісторах N-канального режиму покращення використовувалася передова конструкція технології розділеного затвора, яка забезпечувала чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості 

● Швидке перемикання 

● Низький опір 

● Низький заряд затвора 

● Високий лавинний струм 

● Низькі ємності зворотного перенесення

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки

● Синхронне випрямлення в SMPS

● Жорстке перемикання та високошвидкісна схема 

● Електроінструменти 

● ДБЖ 

● Керування двигуном

VDSS	RDS (увімкнено) (TYP)	ID
85В	3,8 мОм	112А