120A 98V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH90N045R TO-220C

120A 98V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto výkonové mosfety s režimom N-kanálového vylepšenia využívali pokročilý dizajn technológie delenej brány, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Synchrónna náprava v SMPS

● Tvrdé spínanie a vysokorýchlostný obvod

● Elektrické náradie 

● UPS

● Ovládanie motora

VDSS	RDS(zapnuté) (TYP)	ID
98 V	4,6 mΩ	120A