portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 120A 98V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET DH90N045R TO-220C

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjanjakopainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH90N045R TO-220C

120A 98V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET
Saatavuus:
Määrä:

120A 98V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET


1 Kuvaus

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS -testi 


3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri

● Sähkötyökalut 

● UPS

● Moottorin ohjaus



VDSS RDS(päällä) (TYP) ID 
98V 4,6 mΩ 120A



Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi