120A 98V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH90N045R TO-220C

120A 98V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş splitegate hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Yüksek çığ akıntısı

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● SMPS'de eşzamanlı düzeltme

● Sert anahtarlama ve yüksek hızlı devre

● Elektrikli aletler 

● UPS

● Motor kontrolü

VDSS	RDS(açık) (TİP)	İD
98V	4,6 mΩ	120A