未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
6A 650 V SIC SCHOTTKY Barrier Diodi DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6a Dcgt06d65g4_datasheet_v1.0.pdf
50A 30 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30 V 50a DHB50N03 & DHD50N03_DataSheet_v1.0.pdf
4.5A 650 V N-kanavan parannusmoodi MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4.5a 英文版 f5n65c 技术规格书 rev1.1.pdf
600A 1200 V Half Bridge -moduuli DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200 V 600a DGB600H120L2T.PDF
50A 1200 V Half Bridge IGBT -moduuli DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34 mm 1200 V 50a Dhg50n120d.pdf
75A 1200 V Half Bridge IGBT -moduuli DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200 V 75a DGA75H120M2T.PDF
20A 650 V SIC SCHOTTKY Barrier Diode DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20a Laite DCCT20D65G4 Specification.pdf
100A 1200 V Half Bridge IGBT -moduuli DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200 V 100a DGA100H120M2T.PDF
4A 1500 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4a 英文版 dh4n150f ​​技术规格书 .pdf
4A 650 V SIC Schottky Barrier Diodi DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4a Laite DCD04D65G4 Specification.pdf
7A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 7N65 TO-220C 7n65 TO-220C 650 V 7a 英文版 7n65 技术规格书 .pdf
15A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15a
90A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90a Laite DH045N04 Specification.pdf
110A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110a Laite+DH066N06+Specification+Rev.2.0.pdf
180A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180a  DHS025N06 & DHS025N06E_DataSheet_v2.0.pdf
238A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238a Laite DH026N06 Specification.pdf
120A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120a Laite DH033N04 Specification.pdf
60A 40V N-kanavan parannustila Power MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P Dfn5x6 40 V 60a Laite DH065N04P Specification.pdf
180A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+
20A 650 V SIC SCHOTTKY Barrier-diodi DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 To-247 650 V 20a Laite DCC20D65G4 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com