portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
18N50/F18N50/18N50D
220A 20V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Laitteen DH009N02P Specification.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
320A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH009N02U
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Laite+DSD040N08N3A+Specification+Rev.1.0.pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 -220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600V N-kanavan parannustilan teho MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R -220C 100V 120A Laitteen DH10H035R Specification.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf
60A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Laite DH081N03 Specification.pdf
5A 500 V N-kanavainen lisätila teho MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A Laitteen D5N50&B5N50 tekniset tiedot.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
30A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Laitteen DH081N03R Specification.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi