未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
90A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90a Laite DH045N04 Specification.pdf
120A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120a Laite DH033N04 Specification.pdf
60A 40V N-kanavan parannustila Power MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P Dfn5x6 40 V 60a Laite DH065N04P Specification.pdf
180A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+
20A 650 V SIC SCHOTTKY Barrier-diodi DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 To-247 650 V 20a Laite DCC20D65G4 Specification.pdf
80A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80a Laite DH065N04 Specification.pdf
Sic Schottky estekiodi 10A 650 V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10a Laite DCGT10D65G4 Specification.pdf
250A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250a Laite DH019N04 Specification.pdf
10A 650 V SIC Schottky Barrier Diodi DCD10D65G4 TO-252B 650 V 10a Laite DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650 V SIC SCHOTTKY Barrier-diodi DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8a Laite DCGT08D65G4 Specification.pdf
Sic Schottky estekiodi 10a 650v DCE10D65G4 TO-263 650 V 10a Laite dce10d65g4 spesifikaatio.pdf
10A 1200 V SIC Schottky Barrier Diodi DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180a Laite DHS020N04 Specification.pdf
170A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100 V 170a Dsg030n10n3 & dse028n10n3_datasheet_v1.0.pdf
238A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238a Laite DH026N06 Specification.pdf
160A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH020N03P 5X6-8 DH020N03P Dfn5x6 30 V 160a Laite DH020N03P Specification.pdf
105A 68 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68 V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+
80A 60V N-kanavan parannustila Power Mosfet DATD063N06N TO-252B Datd063n06n TO-252B 60 V 80a Laite+datd063n06n+spesifikaatio Rev.1.0.pdf
310A 20V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310a Laite DH009N02 Specification.pdf
100A 85V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100a Laite DH85N08 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com