portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
2A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS -220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
50A 650V pysähdyseristetty kaksinapainen porttitransistori G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50A G50T65LBBW__tietolehti(1)(1).pdf
36A 1200V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Laitteen DCC080M120A Specification.pdf
20A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Laitteen DCCT20D65G4 Specification.pdf
170A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Laite DHS020N04P Specification Rev.2.0.pdf
20A 200V LOW VF SchottkyBarrierDiodi MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT -220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Laite DH065N04 Specification.pdf
75A 1200V pysähdyseristetty kaksinapainen porttitransistori DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Laitteen D12N06 Specification(TO-252B).pdf
240A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS020N88U TOLL-paketti DHS020N88U TOLL 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 -220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf
25A 1700V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Laitteen DCCT25D170G1 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi