未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
50A 650 V: n trenchstop-eristetty portti kaksisuuntainen transistori G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW To-247 650 V 50a _DataSheet (1) (1) .pdf
36A 1200 V N-Channel SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36a Laite DCC080M120A Specification.pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500 V 7a Dpqb07hb50mfn_datasheet_v1.0.pdf
90A 80V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90a Laite DHD80N08 Specification.pdf
2A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650 V 2a 英文版 D2n65 技术规格书 .pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3a Dpqb03hb50mfn_datasheet_v1.0.pdf
170A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P Dfn5*6-8 40 V 170a Laite DHS020N04P Specification Rev.2.0.pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5a Dpqb05hb50mfn_datasheet_v1.0.pdf
75A 1200 V Trenchstop Eristetty portti Bipolaarinen transistori DGC75F120M2 TO-247Plus DGC75F120M2 To-247Plus 1200 V 75a _DataSheet-v1.2.pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4a Dpqb04hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
12A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12a Laite D12N06 -määritys (TO-252B) .pdf
40A 1200V Trenchstop-eristetty portti kaksisuuntainen transistori G40N120D TO-247 G40N120D To-247 1200 V 40a G40N120D - DATECHEET.pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 Dpqb04hb50mfn ESOP-9 500 V 4a Dpqb04hb50mfn_datasheet_v1.0.pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3a Dpqb03hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
240A 85V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS020N88U TULLIKKO PAKKAUS DHS020N88U Tietullit 85 V 285a Dhs020n88u_datasheet_v2.0.pdf
175A 80V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DataSheet_v2.0.pdf
15A 40V P-kanavan parannusmoodi MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DataSheet_v1.0.pdf
500V/3A puoli siltaa IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7a Dpqb07hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
500 V/4A puoli siltaa IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4a Dpqa04hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
33A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33a Laite DH240N06L Specification Rev.2.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com