未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

-30V~-100V P MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
15A 40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Laite DH300P06 Specification.pdf
P-kanavan lisätilateho MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Laitteen DH100P30CB1Q Specification.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Laite DH500P06R Specification Rev.1.0.pdf
10A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Laite DH160P03V Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
75A 100V P-kanavan lisälaitetila Power MOSFET DH100P70 -220C 100V 80A Laite DH100P70 Specification.pdf
DH100P20D
13A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13A Laite 18P10 Specification.pdf
P-kanavan parannustilan teho MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A Laitteen DH100P40D Specification.pdf
35A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P35 - 220C DH100P35 -220C 100V 35A Laite DH100P35 Specification.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Laite DH100P20 Specification.pdf
-50A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L -220C -60V -50A Laite+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Laitteen DH100P30AD Specification.pdf
-140A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA -220C -60V -140A Laite+DTG050P06LA+Specification+Rev.1.0.pdf
18A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
40A 60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 -220C 60V 40A Laite DH400P06 Specification.pdf
140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com