未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

-30V~-100V P MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
-30A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30A Laite DH300P06 Specification.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Laitteen DH100P30CB1Q Specification.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Laite DH500P06R Specification Rev.1.0.pdf
15A 40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
DH100P20D
10A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Laite DH160P03V Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
75A 100V P-kanavan lisäystila Power MOSFET DH100P70 -220C 100V 80A Laite DH100P70 Specification.pdf
13A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13A Laite 18P10 Specification.pdf
P-kanavan parannustilan teho MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A Laitteen DH100P40D Specification.pdf
35A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P35 - 220C DH100P35 -220C 100V 35A Laite DH100P35 Specification.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Laite DH100P20 Specification.pdf
-6A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A Donghai_DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Laite DH100P28 Specification.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Laitteen DHP50P04 Specification(DFN56)(1).pdf
25A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Laite DH100P25 Specification.pdf
18A 100 V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C -220C -100V -30A Laitteen DH100P30CB1Q Specification.pdf
140A 30V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com