brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » -30V~-100V P MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

-30V~-100V P MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
15A 40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Arkusz danych_V1.0.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30A Specyfikacja urządzenia DH300P06.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
-30A -100V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Specyfikacja urządzenia DH100P30CB1Q.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Specyfikacja urządzenia DH500P06R Rev.1.0.pdf
10A 30V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30 V 10A Specyfikacja urządzenia DH160P03V Rev.1.0.pdf
MOSFET mocy 75 A, 100 V, tryb wzmocnienia kanału P DH100P70 TO-220C 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DH100P70.pdf
DH100P20D
13A 100 V tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100 V -13A Specyfikacja urządzenia 18P10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100 V -40A Specyfikacja urządzenia DH100P40D.pdf
35A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35A Specyfikacja urządzenia DH100P35.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100 V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100 V -20A Specyfikacja urządzenia DH100P20.pdf
-50A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 V -50A Urządzenie+DH300P06L+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specyfikacja urządzenia DH100P30AD.pdf
-140A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60 V -140A Urządzenie+DTG050P06LA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A Donghai_DH400P06LD i DH400P06LB_Arkusz danych_V2.0.pdf
40A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Specyfikacja urządzenia DH400P06.pdf
MOSFET mocy 140 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału P DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą