未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

-30V ~ -100V P MOS

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
15A 40 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V. -30a AOD413 i AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V. 30a Urządzenie DH100P30AD Specyfikacja PDF
18A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V. 18a Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
-50a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L To-220C -60 V. -50a Urządzenie+DH300P06L+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
-140A -60V PRZEWADZANIE PRZEWODNIKA MOC MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA To-220C -60 V. -140a Urządzenie+DTG050P06LA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
40A 60 V Tryb wzmacniający kanał P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 To-220C 60 V. 40a Urządzenie DH400P06 Specyfikacja.pdf
140A 30 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-50A -40 V Tryb wzmocnienia kanału P DH160P04D TO-252B -40 V. -50a DH160P04D_DATASHEET_V1.0.PDF
-30a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH400P06LD do 252b DH400P06LD TO-252B -60 V. -30a DH400P06LD i DH400P06LB_DATASHEET_V2.0.PDF
-30a -100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C To-220C -100V -30a Urządzenie DH100P30CB1Q Specyfikacja. PDF
20A 60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 To-220C 60 V. 20a Urządzenie DH9Z24B1R Specyfikacja Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30a Urządzenie DH100P28 Specyfikacja.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5x6 -40 V. -50a Device DHP50P04 Specyfikacja (DFN56) (1) .pdf
Tryb wzmocnienia kanału P 25A 100 V MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25a Device DH100P25 Specyfikacja.pdf
140A 30 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
-6A -100V PRZECIWKO PRZEZ ULEPKOŚCI MOC MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6a DH100P18V_DATASHEET_V1.0.PDF
-100 V/33MΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35a DH100P30D_DATASHEET_V1.0+.PDF
18A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V. 18a Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
-30a -100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30a Urządzenie DH100P30CB1Q Specyfikacja. PDF
-30a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V. -30a Urządzenie DH300P06 Specyfikacja.pdf

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com