未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » -30V ~ -100V P MOS -252B -30A -100V PRZECIWKO PRZEWODNIKA PRZEZ MOSFET DH100P30CD TO

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

-30a -100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P30CD TO-252B

-30a wzmocnienia kanału P
Tryb
-100 V
Pytać się Dodaj do kosza

-30a -100 V tryb wzmacniający kanał P


1 Opis

Te tryb wzmacniający kanał P wykorzystywał zaawansowany projekt technologii wykopów, zapewniły doskonały ładunek RDSON i niski ładunek bramki. Co jest zgodne ze standardem Rohs. 


2 funkcje 

● Niskie opór 

● Niski ładunek bramki 

● Szybkie przełączanie 

● Niskie pojemności transferu odwrotnego 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Aplikacje przełączające zasilanie 

● System zarządzania falownikiem

● Elektrownie 

● Alert


VDSS RDS (ON) (Typ) ID 
-100V 47mΩ -30a



Poprzedni: 
Następny: 
-30a -100 V tryb wzmacniający kanał P
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com